Infineon Technologies OptiMOS™ 快速二极管 (FD) 功率 MOSFET

Infineon OptiMOS™ 快速二极管 (FD) 器件是 Infineon 最新一代的 N 沟道功率 MOSFET,有 200V 和 250V 可选。这些 Infineon OptiMOS FD 器件具有较小 Qrr、非常低的导通电阻、175ºC 的工作温度。这些 Infineon OptiMOS FD MOSFET 针对体二极管硬整流进行了优化,是电信、工业电源、D 类音频放大器、电机控制、直流-交流转换器等应用的理想选择。

特性

  • N-channel, normal level
  • Fast diode (FD) with reduced Qrr
  • Optimized for hard commutation ruggedness
  • Low ON-resistance RDS(on)
  • 175°C maximum operating temperature
  • Pb-free lead plating, RoHS compliant
  • Qualified, according to JEDEC for target application
  • Halogen free, according to IEC61249-2-21

应用

  • Telecom
  • Class D audio amplifiers
  • Motor control for 48-110V systems
  • Industrial power supplies
  • DC/AC inverters
发布日期: 2014-06-02 | 更新日期: 2022-03-11