Infineon Technologies OptiMOS™ PD（供电）MOSFET
英飞凌OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFET非常适合用于USB-PD和快速充电器设计，支持短引线和快速报价响应时间。逻辑电平MOSFET采用PQFN 3.3mm x 3.3mm和SuperSO8封装，优化用于充电器和适配器25V至150V SMPS应用中的同步整流。逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压(VGS(th))，允许中低压MOSFET从4.5V或直接从微控制器驱动，从而减少应用中的元件数量。
特性
- 低RDS (on)，采用小型封装，无需增加电荷
- 最高的效率和功率密度设计
- 低栅极电荷 (Qg) 可降低开关损耗，不影响导通损耗
- 整体损耗和开关损耗更低
- 低反向恢复电荷 (Qrr)和低输出电荷 (Qoss)
- 同步整流低过冲
- 逻辑电平兼容性
- 逻辑电平部件可以从4.5V或者直接从微控制器（慢速开关）完全驱动
- 支持高开关频率
- 在应用中产生更少热量
- 提高了品质因数，用于在高开关频率下运行
- 出色的散热性能
相关开发工具
Infineon Technologies USB-C充电器和适配器
与普通智能手机充电设计相比，具有更高额定功率。
其他资源
发布日期: 2020-01-15
| 更新日期: 2024-09-18