Infineon Technologies REF-SMD5KIMSQM2INV三相逆变器功率板
英飞凌REF-SMD5KIMSQM2INV三相逆变器功率板用于在集成伺服驱动应用中评估英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET的性能。 英飞凌REF-SMD5KIMSQM2INV配备小型散热器，因此无需冷却风扇。 单块4层FR4 PCB包含用于电机驱动应用的完整三相逆变器，且带有与控制器板连接的接口。驱动器电路基于EiceDRIVER™ 1ED3322MC12N增强型（1ED-F3）单通道隔离式栅极驱动器构建，集成DESAT保护和米勒钳位。功率开关采用CoolSiC IMSQ120R012M2H MOSFET G2，封装为顶部冷却Q-DPAK双半桥封装。该参考设计使用户能够快速实现紧凑型伺服电机解决方案。
特性
- 适用于伺服电机集成的三相逆变器
- CoolSiC™ MOSFET 1200V G2，12mΩ，Q-DPAK封装
- 紧密设计
- 单块FR4 PCB，配有散热器
- 无风扇运行，仅通过自然对流冷却
- 通过DESAT实现短路保护
- 过流检测与过热检测
- 输入电压范围：350VDC至800VDC
应用
- 电机集成伺服驱动器
- 机器人驱动器
规范
- 开关频率范围：4kHz至16kHz
- 输出频率范围：0Hz至599Hz
- 标称输出电流：9ARMS（交流、三相）；最大电流：27ARMS
- 6.5 kW 输出功率
- 辅助电源：24V ±20%
- 环境温度范围：0°C至+40°C
- PCB直径：110mm（不含散热器）/120mm（含散热器）
套件内容
- 集成散热器的逆变器功率板
- 用于连接控制器板的转接电缆
方框图
概述
相关产品
Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET
为电力电子设备应用提供高性能解决方案。
Infineon Technologies EiceDRIVER™增强型F3系列
8.5A单通道隔离驱动器，采用DSO-16封装，具备旨在满足市场需求的功能。
发布日期: 2026-05-20
| 更新日期: 2026-05-26