Infineon Technologies SMPS High Power Topology

英飞凌科技 SMPS 高功率拓扑

英飞凌科技 SMPS 高功率拓扑适合高于 400W 的电源应用。使用 AC/DC 整流器前端级之后,还需要一个 DC/DC 功率转换器对总线电压进行降压,并提供电隔离和紧密调节的直流输出(如 12V、24V、48V)。尽管可以使用众多隔离式拓扑,但相移全桥转换器更适合更高功率的应用,因为其固有的一次侧开关的零电压转换等原因。

使用主动设计(Active Design)文件可简化确定功率损耗、功率器件选择和无源元件所需的计算,从而加快客户的电源设计。  这些文件在 MathCad Express 中建立和执行,反映了设计说明(Design Notes)的内容。设计说明中描述了各拓扑的基本原理。如果机器上已经安装了 MathCad,只需打开 .mcdx 文件,在其中的绿色和橙色用户输入区分别输入系统要求和元件细节。
600W 全桥电流倍增器快速生成.mcdx

  Phase Shifted Full-Bridge Converter with Current Doubler Rectifier Design Notes

全桥拓扑

Full Bridge Topology

升压 MOSFET

英飞凌科技 CoolMOS CP 功率 MOSFET 系列满足了系统微型化 和效率提升的要求,因为它 在特定封装中大幅降低了漏极-源极导通电阻(RDSon) ,并在输出电容中存储了超低的栅极总电荷和 非常低的电能。CoolMOS CP 系列的目标应用 是服务器和电信电源、笔记本电脑适配器、LCD TV、 ATX 和游戏电源、以及照明镇流器。

特点
  • 最低品质因数 RONxQg
  • 超低栅极电荷
  • 极端 dv/dt 额定值
  • 高峰值电流能力
  • 符合 JEDEC 标准工业级应用要求
  • 无铅电镀;符合 RoHS 要求
 

应用

  • 服务器和电信中的硬交换拓扑

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    IPW60R125CP Datasheet IPW60R125CP 数据表
    IPW60R075CP Datasheet IPW60R075CP 数据表
    IPW60R045CP Datasheet IPW60R045CP 数据表
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    Infineon Technologies CoolMOS™ Power Transistors

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    碳化硅升压二极管

    ThinQ!™ 第 5 代采用英飞凌领先的 碳化硅肖特基势垒二极管方面的技术。由于 设计更紧凑,并采用了薄晶圆技术,新产品系列 在各种负载条件下都展示出更高的效率,因为 更好的散热功能和更低的品质因数(Qc x Vf)。 全新 thinQ!™ 第 5 代可用来完善我们的 650V CoolMOS™ 系列:这确保了满足该电压范围最严苛应用 的要求。


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    Infineon Technologies SiC Schottky Barrier Diodes

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    特点
    • 革命性的半导体材料——碳化硅
    • 基准开关行为
    • 无反向恢复/无正向恢复
    • 开关性能不受温度影响
    • 大浪涌电流能力
    • 无铅电镀;符合 RoHS 要求
    • 按照 JEDEC 标准符合目标应用要求
    • 适合高温工作
    • 与硅二极管相比系统效率更高

    • 系统成本/尺寸降低,因为冷却要求降低
    • 实现更高频率/功率密度更高的解决方案
    • 更高的系统可靠性,因为工作温度更低
    • EMI 降低

    应用

    • 开关模式电源
    • 功率因数校正
    • 太阳能逆变器

    PFC 控制器

    英飞凌的 ICE3PCS01G PFC 控制器是 14 引脚宽幅输入范围控制器 IC,用于有源功率因数校正转换器。它设计用于升压拓扑的转换器,需要的外部元件很少。建议采用可开关 IC 的外部辅助电源作为其电源。


    特点
    • 连续电流工作模式 PFC
    • 宽幅输入范围:Vcc 至 25V
    • 可根据输入线路和输出功率条件编程的升压跟随器步进
    • 动态响应增强且无输入电流失真
    • 准确的掉电(brown-out)保护阈值
    • 外部电流环路补偿,实现更高使用灵活性
    • 开环保护
    • 第二过体电压保护
    • PFC 使能功能
    • 独立信号和电源地引脚
    • 95% 的最大占空比(典型值)
    Infineon Technologies ICE3PCS01G PFC Controller
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    Datasheet 数据表

    初级 MOSFET

    CoolMOS 是一项革命性高压功率 MOSFET 技术,按照超结(SJ) 原理进行设计,由英飞凌科技公司首创。650V CoolMOS CFD & CFD2 系列汲取了世界领先的 SJ MOSFET 供应商的经验,并实现了高端创新。由此产生的设备具有可快速开关 SJ MOSFET 的全部功能,并采用了速度极快、坚固耐用的二极管。极低的开关、通信和传导损耗,外加最高等级的鲁棒性,使其在应用中,尤其是谐振开关更可靠、更有效、更轻,且散热性能更强。


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    IPW65R310CFD Datasheet IPW65R310CFD 数据表
    IPW65R190CFD Datasheet IPW65R190CFD 数据表
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    Infineon Technologies CoolMOS Power MOSFETs
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    特点
    • 超快体二极管
    • 非常高的换向耐久性
    • 极低损耗,得益于非常低的 FOM RDS(on)*Qg 和 EOSS
    • 易于使用/驱动
    • 符合 JEDEC 标准(J-STD20 和 JESD22)针对工业级应用的要求
     
    • 无铅镀层、无卤素铸模复合物

    应用
    • PC Silverbox、LCD TV、照明、服务器和电信的谐振开关 PWM 级
     

    二级 MOSFET

    英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 是同类领先的功率 MOSFET,实现最高功率密度和能效的解决方案。超低的栅极和输出电荷、加上最低的导通电阻和小尺寸封装,使 英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 成为满足服务器、数据通信、电信应用稳压器解决方案严苛要求的最佳选择。超快开关控制 FET 加上低 EMI 同步 FET 提供了易于设计导入(design in)的解决方案。 英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率晶体管具有优秀的栅极电荷,最适合直流-直流转换。

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    Datasheet 数据表
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    Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs
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    特点
    • 同步整流的最佳技术
    • 适合高频开关和直流/直流转换
    • 优秀的栅极电荷 x RDS(on) 产品(FOM)
    • 非常低的导通电阻 RDS(on)
    • N 沟道、正常水平
    • 100% 经雪崩测试
    • 无铅电镀、符合 RoHS 要求、无卤素
    • 按照 JEDEC 标准符合目标应用要求
    应用
    • 服务器的板载电源
    • 高性能计算的电源管理
    • 同步整流
    • 高功率密度负载点转换器
     
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    发布日期: 2013-02-19 | 更新日期: 2024-01-24