Infineon Technologies 绝缘体上硅 (SOI) 栅极驱动器IC

英飞凌绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器IC是电平转换高压栅极驱动器IC，适用于IGBT和MOSFET。 SOI技术是一种高电压、电平移位技术，具有独特、可衡量以及业内最佳的优势。其中包括集成式自举二极管 (BSD) 和业界最佳的稳健性，可防止负瞬态电压尖峰。每个晶体管都由嵌入的二氧化硅隔离，消除了导致闭锁的寄生双极晶体管。该技术还可以降低电平转换功率损耗，从而最大限度地降低器件开关功耗。先进的工艺实现了具有技术增强优势的单片高压和低压电路结构。

此系列绝缘体上硅栅极驱动器包括2ED218x（大电流650V、2.5A）和2ED210x（低电流650V、0.7A）半桥SOI栅极驱动器。两款器件均包含两种封装选项：DSO-8和DSO-14。

特性

英飞凌SOI技术的主要优势
- 负瞬态电压抑制能力可防止不稳定操作和闩锁，同时提高可靠性
- 低欧姆集成式自举二极管 (BSD) 具有最低的反向恢复和正向损耗
- 效率更高、开关更快、温度更低、可靠性更好
- 最小电平移位损耗可提高驱动器效率，实现灵活的外壳设计
- 集成输入滤波器，增强抗噪性能
- 每个电压设计等级均具有200V、600V、650V和1200V的耐受电压，可提供运行裕度