Infineon Technologies XHP™ 2 1700V IGBT模块

英飞凌XHP™ 2 1700V IGBT模块是基于可扩展平台构建的高性能功率设备,针对严苛的大功率系统进行了优化。XHP 2封装采用低电感、多规格封装外壳,可最大限度降低寄生电感,并实现稳定、低干扰的开关性能。这些特性有助于在大电流应用中降低电压过冲和开关损耗。这些模块结合先进的TRENCHSTOP™IGBT技术和XT互连技术,可提供大电流密度、低饱和电压和强大的热循环能力,支持在最高+175°C的较高结温下可靠运行。大功率密度和可扩展机械设计支持在不同变流器平台中实现一致集成,同时保持高效率和长使用寿命。

特性

  • XHP2模块配备TRENCHSTOP™ IGBT8发射极控制第8代二极管和NTC
  • 低开关损耗
  • 大电流密度
  • 低电感设计
  • 大爬电距离和电气间隙
  • 大功率和热循环能力
  • 大功率密度
  • CTI>600封装
  • 符合IEC 60747、60749和60068标准,适用于工业应用
  • 符合 RoHS 要求

应用

  • 大功率转换器
  • 风力发电机
  • 电机驱动器
  • 牵引

规范

  • 最大集电极-发射极电压:1700 V
  • 集电极电流:1400 A或2000 A
  • 最大栅极-发射极峰值电压:±20V
  • 最大功率耗散:1400kW或2200kW
  • 绝缘测试电压:4.0kV
  • 典型模块杂散电感:10nH
  • 典型主发射极电感1:1.5nH
  • 典型主发射极电感2:3.5nH
  • 典型模块引线电阻范围:0.27mΩ至0.41mΩ
  • 模块安装扭矩范围:3Nm至6Nm
  • 端子连接扭矩
    • M3螺钉:0.9Nm至1.1Nm
    • M8螺钉:8Nm至10Nm
  • 模块底板材料:铜 (Cu)
  • 最高底板工作温度:+150°C

电路图

应用电路图 - Infineon Technologies XHP™ 2 1700V IGBT模块
发布日期: 2026-05-12 | 更新日期: 2026-05-22