Infineon Technologies 功率MOSFET

Infineon率先采用HEXFET功率MOSFET技术,于1979年开发并推出首款六角形拓扑MOSFET。这些新开发的产品仅在四年后即取得了各种专利权,从那时起,大多数MOSFET制造商已经准许各类设计和工艺进入该市场。IR产品具有市场上同类产品中最低的MOSFET导通电阻,让功率转换子系统设计实现了出色的效率。IR将先进的硅技术与创新封装技术相结合。与采用相同占位的标准封装相比,IR POWIRTAB™、Super-220™和Super-247™封装可让每个器件最多承载20A的电流,从而提高了功率密度。IR的FlipFET®封装技术与标准的表面贴装焊接技术兼容,提供100%的硅与占位比,其性能与外形是其3倍大的传统封装相同,因此非常适合用于便携式电话或笔记本电脑等便携式设备。IR的DirectFET®封装支持通过封装顶部从板上吸走热量,从根本上改善了标准SO-8封装的热管理。因此,DirectFET MOSFET可以在为下一代微处理器供电的大电流电路中将电流密度提高一倍,同时将热管理成本降低一半。

音频

D类音频放大器的音频质量不断提高,正迅速成为家庭音频和视频系统的首选解决方案。Infineon利用其先进的高压技术为D类音频应用提供高性能MOSFET和栅极驱动器IC。我们生产的器件具有极为出色的耐用性,可助力客户提供具有更高功率密度和更高可靠性的高性能音频系统。
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消费类产品

Infineon推出一系列30V同步降压MOSFET,用于直流-直流同步负载点 (POL) 转换器。SO-8同步MOSFET专为需要小尺寸、高效率和较高热传导性能的高密度应用而设计,非常适合用于服务器中使用的笔记本电脑应用和负载点 (POL) 转换器,以及先进的电信和数据通信系统。
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工业

随着工业市场的不断发展,对高度可靠耐用的开关器件的需求也在不断增加。各类大型电池驱动应用(如叉车、不间断电源 (UPS) 系统、电动工具、电动自行车和其他直流电机驱动系统)正在推动效率和可靠性的极限,因为新型设计不断致力于实现更多电能和更长的电池使用寿命。这些设计无一例外地需要坚固耐用的高效MOSFET。Infineon最新推出的功率MOSFET产品可满足这些应用的需求,因为它们是市场上采用最可靠封装的高性能器件。
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电源

Infineon的电源MOSFET专为服务器、笔记本电脑适配器和台式机电源中的交流-直流同步整流而设计。在不断致力于提高数据处理电路的功率密度和速度的过程中,对更高密度电源的需求持续增长。与先前的行业标准相比,该产品最多可将RDS(on) 降低10%,从而提高功率密度,并通过交流-直流SMPS应用中改进的RDS(on) 提供出色的同步整流性能。
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发布日期: 2019-09-06 | 更新日期: 2024-01-26