ISSI 512Mbx8和256Mbx16 DDR4 SDRAM
ISSI 512Mbx8和256Mbx16 DDR4 SDRAM是高速动态随机存取存储器，内部设有八个内存组。双数据速率4同步动态随机存取存储器组分为两组，每组均设有四个DRAM内存组。DDR4 SDRAM采用8N预取架构实现高速运行。ISSI 4GB DDR4 SDRAM器件可提供高达2666Mbps的高速数据传输速率，因此非常适合用于电信和网络、汽车以及工业嵌入式计算。
特性
- 标准电压：VDD = VDDQ = 1.2V，VPP=2.5V
- 数据完整性
- 通过DRAM内置TS实现自动自刷新 (ASR)
- 自动刷新和自刷新模式
- DRAM访问带宽
- 按内存组划分的独立IO门控结构
- 自刷新中断
- 细粒度刷新
- 信号同步
- 通过MR设置实现写入均衡
- 通过MPR实现读取均衡
- 可靠性和错误处理
- 命令/地址奇偶校验
- 数据总线写入CRC
- MPR读数
- 边界扫描 (x16)
- 信号完整性
- 内部VREFDQ培训
- 读取前导培训
- 降档模式
- 每DRAM可寻址
- 可配置DS，实现系统兼容性
- 可配置片上端接
- 数据总线倒置 (DBI)
- 通过外部ZQ焊盘实现DS/ODT阻抗精度的ZQ校准 (240Ω +/-1%)
- 节能和效率
- 带VDDQ端接的伪漏极开路 (POD)
- 命令/地址延迟 (CAL)
- 最大节能
- 低功耗自动自刷新 (LPASR)
应用
- 电信/网络
- 软件定义型网络 (SDN) 和网络功能虚拟化 (NFV)
- 访问和聚合节点
- 交换机和路由器
- 分组光纤传输
- 网络存储（PON OLT、DSLAM、CMTS、无线）
- 汽车
- 信息娱乐
- 远程信息处理
- 驾驶员信息系统
- 工业
- 人机界面
- 嵌入式计算
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发布日期: 2019-07-05
| 更新日期: 2024-03-05