ISSI LPDDR4和LPDDR4X SDRAM采用双数据速率架构,以实现高速运行。双数据速率架构是一个16n预取架构,设有一个接口,设计用于在I/O引脚上每时钟周期传输两个数据字。这些器件以时钟上升沿和下降沿为基准,提供完全同步的操作。这些数据路径在内部被设计为流水线的形式,预取16n位,以实现非常高的带宽。
特性
- 低压电源
- LPDDR4: 1.8V
- LPDDR4X: 1.1V
- 低压I/O
- LPDDR4: 1.1V
- LPDDR4X: 0.6V
- 频率范围:10MHz至1600MHz
- 每I/O端口数据速率:20Mbps至3200Mbps
- 16n位预取DDR架构
- 每通道8个内部存储区,用于并行操作
- 多路复用,双数据速率,命令/地址输入
- 便携特性,可降低功耗
- 可编程读写延迟
- 可编程和动态突发长度(BL = 16或32)
- 片上温度传感器,实现高效自刷新控制
- ZQ校准
- 可调驱动强度
- 部分阵列自刷新 (PASR)
- 10mm x 14.5mm BGA-200封装
应用
- 移动计算
- 平板电脑
发布日期: 2020-07-14
| 更新日期: 2025-12-17

