ISSI LPDDR4和LPDDR4X移动SDRAM

ISSI LPDDR4和LPDDR4X SDRAM是低压存储器器件,有2Gb、4Gb和8Gb密度可供选择。这些器件具有低压内核和I/O电源要求,因此非常适合用于移动应用。LPDDR4和LPDDR4X SDRAM的时钟频率范围为10MHz至1600MHz,每个I/O的数据速率高达3200Mbps。这些器件每通道配置有8个内部组,可同时运行。LPDDR4和LPDDR4X均具有可编程和“即时”突发长度的可编程读写延迟。

ISSI LPDDR4和LPDDR4X SDRAM采用双数据速率架构,以实现高速运行。双数据速率架构是一个16n预取架构,设有一个接口,设计用于在I/O引脚上每时钟周期传输两个数据字。这些器件以时钟上升沿和下降沿为基准,提供完全同步的操作。这些数据路径在内部被设计为流水线的形式,预取16n位,以实现非常高的带宽。

特性

  • 低压电源
    • LPDDR4: 1.8V
    • LPDDR4X: 1.1V
  • 低压I/O
    • LPDDR4: 1.1V
    • LPDDR4X: 0.6V
  • 频率范围:10MHz至1600MHz
  • 每I/O端口数据速率:20Mbps至3200Mbps
  • 16n位预取DDR架构
  • 每通道8个内部存储区,用于并行操作
  • 多路复用,双数据速率,命令/地址输入
  • 便携特性,可降低功耗
  • 可编程读写延迟
  • 可编程和动态突发长度(BL = 16或32)
  • 片上温度传感器,实现高效自刷新控制
  • ZQ校准
  • 可调驱动强度
  • 部分阵列自刷新 (PASR)
  • 10mm x 14.5mm BGA-200封装

应用

  • 移动计算
  • 平板电脑
发布日期: 2020-07-14 | 更新日期: 2025-12-17