ISSI IS25WP512M与IS25LP512M串行NOR闪存

ISSI IS25WP512M与IS25LP512M串行NOR闪存是一款多功能存储解决方案,具有极高的灵活性和性能,采用简化引脚封装。该器件适用于空间有限、低引脚数和低功耗的系统。该接口可通过一个4线SPI接口访问。包括一个串行数据输入 (SI)、一个串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片启用(CE#) 引脚,也可配置用作多I/O 。该器件支持双和四通道I/O以及标准、双输出和四输出SPI。时钟频率均高达104MHz,可获得高达416MHz (104MHz x 4) 的等效时钟速率,这等同于52Mb/S的数据吞吐量。存储器阵列被划分成大小为256/512字节的可编程页面。

特性

  • 工业标准串行接口
    • IS25LP512M: 512Mbit/64Mbyte
    • IS25WP512M: 512Mbit/64Mbyte
    • 3或4字节寻址模式
    • 支持标准SPI,快速,双,双I/O,四,四I/O,SPI DTR,双I/O DTR,四I/O DTR,和QPI
    • 软件和硬件重置
    • 支持串行闪存可发现
    • 参数 (SFDP)
  • 高性能串行闪存 (SPI)
    • 80MHz常规读取
    • 高达133Mhz快速读取
    • 高达80MHz双传输速率 (DTR)
    • 等效吞吐率为532Mb/s
    • 可选假周期
    • 可配置驱动强度
    • 支持SPI模式0和3
    • 超过100,000次擦除/程序周期
    • 数据保留超过20年
  • 灵活高效的存储架构
    • 芯片擦除并统一扇区/块擦除 (4/32/64KB或4/32/256KB)
    • 每页面编程为1至256或512字节
    • 编程/擦除暂停和恢复
  • 高效的读取和编程模式
    • 低指令开销操作
    • 连续读取8/16/32/64字节
    • 突发回环
    • 突发长度可选
    • 可降低指令开销的快速通道互联 (QPI)
    • AutoBoot操作
    • 适用于DTR操作培训的数据学习模式
  • 低功耗、宽温度范围
    • 单电源电压:IS25LP:2.30V至3.60V;IS25WP:1.65V至1.95V
    • 有源读取电流:7mA
    • 待机电流:10µA
    • 深度省电:1µA
    • 温度等级:
      • 扩展温度范围:–40°C至+105°C
      • 自动温度等级 (A3):-40°C至+125°C
  • 先进的安全保护
    • 软件和硬件写保护
    • 高级扇区/块保护
    • 顶部/底部块保护
    • 电源锁保护
    • 4x256字节专用安全区域,并设有OTP用户可锁定位
    • 每个设备都有128位唯一ID(请致电厂家详询)

应用

  • 仪表盘
  • 信息娱乐控制台
  • 远程信息处理系统
  • 安全系统 (ADAS)
  • 智能电视机顶盒
  • 硬盘
  • 打印机
  • 游戏设备
  • 工业控制
  • 医疗设备
  • 军事和航空航天
  • 无线接入点
  • 4G LTE基站
  • 路由器和交换机
  • 家庭组网
  • 能源/智能电网管理

框图

框图 - ISSI IS25WP512M与IS25LP512M串行NOR闪存
发布日期: 2018-12-14 | 更新日期: 2026-02-02