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ISSI 串行RAM器件

ISSI串行RAM器件包含8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机存取存储器 (RAM)，使用自刷新DRAM阵列。对于8Mb、16Mb和32Mb，这些阵列的结构分别为1M字 x 8位、2M x 8位和4M x 8位。这些串行RAM器件支持串行外围接口 (SPI) 和四路外围接口 (QPI) 协议，以及较小的信号引脚数。这些器件还支持隐藏式刷新操作，以及工业温度和汽车A2级温度。ISSI串行RAM器件支持带内复位，而不必使用专门的RESET#引脚，传输的最小数据量为8bit。

特性

  • 行业标准串行接口：
    • SPI协议：
      • 1-1-1和1-4-4操作
    • QPI协议：
      • 4-4-4操作
    • 较小的信号引脚数：
      • 6个信号引脚（CE#、CLK和SIO0~SIO3）
  • 高性能：
    • 时钟频率：
      • 33MHz（最大值），用于正常读取
      • 104MHz（最大值），用于快速读取
    • 页面大小：
      • 1024字节
    • 可配置的回环突发传输长度：
      • 32和1024（默认值=1024）
    • 页面内始终回环突发操作：
    • 驱动强度：
      • 50Ω
  • 低功耗：
    • 单个1.65V至1.95V电压范围
    • 单个2.7V至3.6V电压范围
    • 104MHz、105°C时最大有源QPI模式读取电流：15mA 
    • 典型待机电流：150µA 
  • 硬件特性：
    • 时钟输入：
      • 串行时钟输入
    • SIO0 – SIO3：
      • 串行数据输入或串行数据输出
  • 温度范围：
    • 工业：
      • -40°C至85°C
    • 汽车 (A1) 级：
      • -40°C至85°C
    • 汽车 (A2) 级：
      • -40°C至105°C
  • 业界标准封装：
  • K = 8触点WSON 6mm x 5mm
  • T = 8触点USON 4mm x 3mm
  • N = 8引脚SOIC 150mil
  • Y = 12球WLCSP

框图

框图 - ISSI 串行RAM器件

数据手册

发布日期: 2022-04-20 | 更新日期: 2024-03-05