IXYS N通道MOSFET和IGBT栅极驱动器
IXYS N通道MOSFET和IGBT栅极驱动器包括高压高速栅极驱动器和三相栅极驱动器IC。这些设备设计用于驱动半桥配置或高压侧/低压侧配置的两个N通道MOSFET或IGBT。高压技术能够实现高压侧在全推力运转期间切换到600V。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，用于最大限度地减少驱动器交叉传导。其他功能包括3.3V逻辑输入能力，施密特触发逻辑输入和欠压锁定(UVLO)保护。IXYS N通道MOSFET和IGBT栅极驱动器具有-40°C至+125°C扩展工作温度范围。
特性
- 一般特性
- 驱动半桥配置或高压侧/低压侧配置的两个N通道MOSFET或IGBT
- 逻辑输入能力：3.3V
- 施密特触发逻辑输入
- UVLO保护
- 温度范围：-40°C至+125°C
- 半桥栅极驱动器
- 浮动高侧驱动器在全推力运转期间切换到600V
- 输出可耐受负电压瞬变
- 三相半桥栅极驱动器
- 三台浮动高侧驱动器在全推力运转期间切换到600V
- 匹配传播延迟
- 跨导预防逻辑
- 高压侧/低压侧栅极驱动器
- 浮动高侧驱动器在全推力运转期间切换到600V
- 输出可耐受负电压瞬变（取决于型号）
应用
- 半桥栅极驱动器和高压侧/低压侧栅极驱动器
- DC-DC转换器
- AC-DC逆变器
- 电机控制
- 电机驱动器
- D类功率放大器
- 三相半桥栅极驱动器
- 三相电机逆变器驱动器
- 大型家电：空调、洗衣机、冰箱
- 工业电机逆变器：电动工具、机器人
- 通用三相逆变器
视频
特色产品
IXYS LF2103N半桥栅极驱动器
高压器件，能够驱动半桥配置的N通道MOSFET和IGBT。
发布日期: 2021-11-15
| 更新日期: 2023-04-06