IXYS IX4352NEAU低侧栅极驱动器

IXYS IX4352NEAU低侧栅极驱动器专为驱动SiC MOSFET和大功率IGBT而设计。这些驱动器提供独立的9A拉电流和灌电流输出,并允许定制开通和关断定时,同时尽可能降低开关损耗。IX4352NEAU栅极驱动器集成了内部负电荷稳压器,提供用户可选的负栅极驱动器偏置。这些驱动器具有去饱和检测电路,可以检测SiC MOSFET的过流情况。IX4352NEAU栅极驱动器符合AEC-Q100 1级标准,并采用散热增强型16引脚窄型SOIC封装。典型应用包括板载充电器、DC-DC转换器、电动汽车充电桩、电机控制器和电源逆变器。

特性

  • 分别输出9A峰值源和灌电流
  • 符合AEC-Q100
  • VDD - VSS工作电压范围高达35V
  • ±2kV人体模型 (HBM) ESD等级2
  • 内部充电泵稳压器用于可选负栅极驱动器偏置
  • 欠饱和检测,软关闭灌电流驱动器
  • TTL和CMOS兼容输入
  • 欠压闭锁 (UVLO)
  • 热关闭
  • 开漏输出故障指示
  • 工作温度范围:-40°C至125°C

应用

  • 板载充电器
  • DC-DC转换器
  • 电动汽车充电站
  • 电机控制器
  • 电源逆变器

视频

典型应用电路图

应用电路图 - IXYS IX4352NEAU低侧栅极驱动器

机械图

机械图纸 - IXYS IX4352NEAU低侧栅极驱动器
发布日期: 2025-08-28 | 更新日期: 2025-12-19