IXYS IXBx14N300HV反向导通BiMOSFET™ IGBT

IXYS IXBx14N300HV反向导通BiMOSFET™ IGBT结合了MOSFET和IGBT的优势。这些高压器件非常适合用于并联运行,因为饱和电压和内置二极管的正向电压降均具有正电压温度系数。IXBx14N300HV BiMOSFET IGBT的“自由”内置体二极管用作保护二极管,为器件关断期间的感性负载电流提供替代路径,防止高Ldi/dt电压瞬变对器件造成损坏。

借助IXBx14N300HV BiMOSFET IGBT,功率设计人员可以消除多个串并联低压、低额定电流器件,从而减少所需功率元件的数量,简化相关栅极驱动电路。该功能可实现更简单的系统设计,成本更低,可靠性更高。

IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ IGBT提供有TO-263HV (IXBA14N300HV) 和TO-268HV (IXBT14N300HV) 封装。这些器件的结温范围:-55°C至+150°C。



 

特性

  • “自由”本征二极管
  • 无需多个串并联的低额定电压、低额定电流器件,节省空间
  • 功率密度大
  • 高频工作
  • 低导通损耗
  • 便于驱动的MOS栅极导通
  • 4000V电气隔离
  • 低栅极驱动要求

应用

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 不间断电源 (UPS)
  • 激光发生器
  • 电容器放电电路
  • 交流开关

规范

  •  集电极-发射极电压 (VCES):3000V
  • 集电极-栅极电压 (VCGR):3000V
  • 栅极-发射极电压 (VGES):±20V
  • 集电极电流(25°C时)(IC25):±38A
  • 栅极漏电流 (IGES):±100nA
  • 集电极电流(+110°C时) (IC110):±14A
  • 集电极-发射级饱和电压 (VCE(sat)):2.7V
  • 短路耐受时间 (tsc):10μs
  • 集电极功耗 (PC):200W
  • 结温范围:-55°C至+150°C

引脚分配和原理图

机械图纸 - IXYS IXBx14N300HV反向导通BiMOSFET™ IGBT

TO-263HV封装外形

机械图纸 - IXYS IXBx14N300HV反向导通BiMOSFET™ IGBT

TO-268HV封装外形

机械图纸 - IXYS IXBx14N300HV反向导通BiMOSFET™ IGBT
发布日期: 2021-10-14 | 更新日期: 2022-03-11