IXYS IXD2012N栅极驱动器

IXYS IXD2012N栅极驱动器是一款高侧和低侧高速栅极驱动器，能够驱动采用半桥配置的N沟道MOSFET和IGBT。该驱动器设计用于在自举操作中切换高达200V电流，具有1.9A拉电流/2.3A灌输出电流能力。凭借标准TTL和CMOS逻辑电平输入， IXD2012N驱动器与控制器件兼容，可以轻松连接。IXYS IXD2012N驱动器输出设有高脉冲电流缓冲器，设计用于实现最小的驱动器交叉传导。该栅极驱动器的额定环境温度范围为-40°C至125°C，采用SOIC(N)-8卷带封装。IXD2012N栅极驱动器用于直流-直流转换器、交流-直流逆变器、电机控制和D类功率放大器。