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IXYS IXGA20N250HV高压IGBT

IXYS IXGA20N250HV高压IGBT（绝缘栅极双极晶体管）具有方形反向偏置安全工作区 (RBSOA) 和10μs短路耐受能力。IXGA20N250HV具有2500V集电极-发射极电压、12A集电极电流（+110°C时）以及3.1V集电极-发射极饱和电压。该器件具有VCE(sat)的正温度系数，非常适合用于并联。

IXGA20N250HV IGBT支持单个器件用在以前使用多个级联低压开关的电路系统中。这种器件整合通过消除复杂的驱动和电压平衡元件，减少了功率器件的数量，并降低了成本、提高了效率。在其电路以前使用高压SCR的系统中，这种高压IGBT为设计人员提供一个真正的开关，可以轻松实施信号调制方案。这种能力可提高效率，简化波形整形并实现负载断开，从而提高系统安全性。还可以更换传统的高压EMR和放电继电器，从而降低系统复杂性，提高整体可靠性。

IXYS IXGA20N250HV高压IGBT采用行业标准TO-263HV封装，结温范围为-55°C至+150°C。

特性

  • 工业标准TO-263HV封装
  • 高压封装
  • 电隔离片
  • 高峰值电流处理能力
  • 低饱和电压
  • 成型环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级要求

应用

  • 脉冲发生器电路
  • 电容器放电电路
  • 高压电源
  • 高压测试设备
  • 激光和X射线发生器

规范

  • 集电极-发射极电压 (VCES)：2500V
  • 集电极-栅极电压 (VCGR)：2500V
  • 栅极-发射极电压 (VGES)：±20V
  • 栅极-发射级电压瞬态 (VGEM)：±30V
  • 集电极功耗 (PC)：150W
  • 集电极电流（25°C时）(IC25)：30A
  • 集电极电流（+110°C时） (IC110)：12A
  • 集电极-发射级饱和电压 (VCE(sat))：3.10V
  • 结-外壳热阻(RthJC)：0.83°C/W
  • 结温范围：–55°C至+150°C

引脚分配和原理图

机械图纸 - IXYS IXGA20N250HV高压IGBT

封装外形

机械图纸 - IXYS IXGA20N250HV高压IGBT
发布日期: 2021-10-13 | 更新日期: 2022-03-11