IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET

IXYS IXSA40N120L2-7碳化硅MOSFET是一款工业级单开关碳化硅MOSFET,具有良好的功率循环特性和非常快速的低损耗开关特性。该MOSFET建议用于高速工业开关模式电源。IXSA40N120L2-7 MOSFET具有低导通损耗、低栅极驱动功率要求以及较低的热管理工作,优化用于栅极控制。该碳化硅MOSFET非常适用于太阳能逆变器、开关模式电源、 UPS、电机驱动器、直流/直流转换器、电动汽车充电基础设施和感应加热。

特性

  • SiC MOSFET技术,具有-3/+15至18V栅极驱动
  • 1200 V漏源电压
  • 漏极-源极导通电阻RDS(on) :80mΩ
  • 高阻断电压、低导通电阻
  • 高速开关,低电容
  • 总功耗:250W(TC = 25°C时)
  • 最高虚拟结温:175°C
  • 低输入电容:Ciss = 1160pF
  • 超快本征二极管
  • Kelvin源触点
  • 湿度灵敏性等级:1级(MSL1)

应用

  • 太阳能逆变器
  • 开关模式电源
  • UPS
  • 电机驱动器
  • 直流/直流转换器
  • 电动汽车充电基础设施
  • 感应加热

尺寸图

机械图纸 - IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
发布日期: 2025-03-03 | 更新日期: 2025-03-17