IXYS LSIC1MO170E0750 N沟道SiC MOSFET
IXYS LSIC1MO170E0750是一款750mΩ n沟道碳化硅 (SiC) MOSFET，优化用于高压、高频和高效应用。低栅极电阻和超低导通电阻使其非常适合用于高频开关应用。该器件具有极低的栅极电荷和输出电容，并可在所有温度下保持常闭运行。IXYS LSIC1MO170E0750适合用于各种采用高频开关的应用，例如开关模式电源、太阳能逆变器、UPS系统、高压直流-直流转换器等。
特性
- 优化用于高频、高效率应用
- 极低栅极电荷和输出电容
- 低栅极电阻，适用于高频开关
- 在各种温度条件下保持常闭状态
- 超低导通电阻
应用
- 高频应用
- 太阳能逆变器
- 开关模式电源
- 不间断电源 (UPS)
- 电机驱动器
- 高压直流-直流转换器
- 电池充电器
- 感应加热
规范
- DS：1700V
- 连续漏极电流：高达6.2A
- 栅极电阻：29Ω
- RDS(ON)：750mΩ
- 功率耗散：高达60W
- 推荐栅极-源极电压：-5VDC至+20VDC（最大值），-6VDC至+22VDC
尺寸和引脚分配
相关MOSFET
Littelfuse 碳化硅MOSFET
优化用于高频、高效率应用。
发布日期: 2021-06-08
| 更新日期: 2022-03-11