KEMET 高CV多层陶瓷电容器 (MLCC)
KEMET高CV多层陶瓷电容器 (MLCC) 是优选电容解决方案，可为电路设计人员提供出色的性能、可靠性和成本优势。陶瓷是非极性器件，可提供无与伦比的容积效率，以小封装尺寸提供高电容。KEMET高CV MLCC有多种尺寸可供选择，具有非常低的等效串联电阻 (ESR)，具有优异的高频特性，并且非常可靠。MLCC是由特殊配方的陶瓷介电材料层与金属电极系统交错叠压形成的单片器件，经过高温烧结，成为高容积效率的电容器件。该器件的裸露端集成一个导电性端接隔离系统，从而完成连接。
仿真工具
I类：C0G和U2J（温度补偿/低损耗）
什么是I类？有时也称为NP0，C0G被认为“超稳定”。C0G的电容温度系数 (TCC) 在额定温度范围内为±30ppm/°C。随着温度的变化，C0G的电容只会略有改变。
KEMET C0G电介质的最高工作温度为+125°C，被认为很稳定。美国电子元器件、组件及材料协会 (EIA) 将C0G电介质定义为I类材料。该类别的组件属于温度补偿型，适合谐振电路应用或需要高品质和稳定电容特性的应用。C0G的电容不随时间和电压而变化，受环境温度影响的电容变化也可以忽略不计。从-55°C到+125°C，电容变化限制在±30ppm/ºC。
在给定的封装尺寸下，KEMET U2J电介质MLCC的电容比C0G产品组合高出120%。KEMET U2J表面贴装MLCC系列采用的介电材料根据其在温度方面的性能属于I类介电材料。从-55ºC到+125ºC，电容变化限制在-750±120ppm/ºC。KEMET U2J电容器将KEMET I类MLCC的可用电容范围扩展到了以前仅II类介电材料才有的值，如X7R、X5R、Y5V和Z5U。与II类介电材料相比，U2J对直流偏压不敏感，在满额定电压下保持99%以上的标称电容。
II类：X8R、X7R、X5R和X8L（温度稳定）
KEMET X5R电介质的最高工作温度为+85°C，被视为“半稳定”。EIA将X5R电介质定义为II类材料。该类组件是固定的陶瓷介质电容器，适用于不太看重电容特性质量和稳定性的旁路和去耦应用或鉴频电路。X5R的电容随着时间和电压的变化会出现可预测的变化，并且电容随环境温度的变化极小。
X7R电介质的最高工作温度为+125°C，被视为“温度稳定”。EIA将X7R电介质定义为II类材料。该类组件是固定的陶瓷介质电容器，适用于不太看重电容特性质量和稳定性的旁路和去耦应用或鉴频电路。X7R的电容随着时间和电压的变化会出现可预测的变化，并且电容随环境温度的变化极小。
X8L电介质的最高工作温度为+150°C，被视为“通用耐高温”。这些组件是固定的陶瓷介质电容器，适用于不太看重电容特性质量和稳定性的高温旁路和去耦应用或鉴频电路。X8L的电容随着时间和电压的变化会出现可预测的变化，并且电容随高达+125°C的环境温度的变化极小。
超稳定X8R电介质的最高工作温度为+150°C，为极端温度应用提供了全新的高温电介质技术和可靠性。
III类：Z5U和Y5V（通用）
KEMET Y5V电介质的最高工作温度为+85°C，被视为“通用”。EIA将Z5U电介质定义为III类材料。该类组件是固定的陶瓷介质电容器，适用于不太看重介电损耗、高绝缘电阻和电容稳定性的旁路和去耦或其他应用。Y5V的电容随着时间和电压的变化会出现可预测的变化，并且随着环境温度的改变，其电容变化范围也比较宽。从-30°C到+85°C，电容变化限制在+22%、-82%。
Z5U电介质的最高工作温度为+85°C，被视为“通用”。EIA将Z5U电介质定义为III类材料。该类组件是固定的陶瓷介质电容器，适用于不太看重介电损耗、高绝缘电阻和电容稳定性的旁路和去耦或其他应用。Z5U的电容随着时间和电压的变化会出现可预测的变化，并且随着环境温度的改变，其电容变化范围也比较宽。从+10°C到+85°C，电容变化限制在+22%、-56%。
电容随温度的变化
在为电路功能（如滤波、去耦、瞬态电压抑制和能量存储）选择电容器时，工作温度是一个举足轻重的因素。必须注意确保陶瓷电容器在预期工作温度下提供所需的电容。根据介电材料的不同，电容在高温下可能会降低，从而导致不可预测的系统性能。
