特性
- 抗浪涌能力:>25A
- 阻断电压 (VDRM/VRRM) 能力:高达600V
- 高di/dt能力:500A/μs
- 改进的关断时间 (tq):< 55μsec
- 用于直接连接微处理器的敏感栅极
- 通孔和表面贴装封装
- 封装选项:
- TO-92
- SOT-223
- 符合RoHS指令,不含卤素
规范
- RMS导通电流 (IT(RMS)):2A
- 平均导通电流 (IT(AV)):1.2A
- 非重复浪涌峰值导通电流 (ITSM)
- 采用TO-92封装且f=50Hz时为22.5A
- 采用SOT-223封装且f=60Hz时为25.0A
- VDRM/VRRM:600V
- IGT:200µA
- 熔断值I2t:2.5A2s
- 峰值栅极电流 (IGM):1.0A
- 平均栅极功耗:(PG(AV)):0.2W
- 储存结温范围 (Tstg):-40°C至+150°C
- 工作结温范围 (TJ):-40°C至+125°C
- 端子涂层:100%雾锡电镀
- 主体材料:通过UL认证的复合材料,符合V-0可燃性等级
- 引线材料:铜合金
TO-92封装外形
SOT-223封装外形
发布日期: 2019-07-10
| 更新日期: 2023-05-09

