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CGH09120F GaN高电子迁移率晶体管 - MACOM
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MACOM CGH09120F GaN高电子迁移率晶体管
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Wolfspeed/Cree CGH09120F GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT) 旨在实现高效率、高增益和高带宽能力。该款GaN HEMT支持大量应用DPD校正,因此非常适合用于MC-GSM、WCDMA和LTE放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
特性
UHF to 2.5GHz operation
21dB gain
-38dBc ACLR at 20W PAVE
35% efficiency at 20W PAVE
High degree of DPD correction can be applied
Ceramic/metal flange package
应用
MC-GSM
WCDMA
LTE amplifiers
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发布日期: 2017-10-06 | 更新日期: 2024-01-19