CGH09120F

MACOM
941-CGH09120F
CGH09120F

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt

数据表:
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¥3,402.769 ¥34,027.69

产品属性 属性值 选择属性
MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
Screw Mount
N-Channel
120 V
28 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
56 W
商标: MACOM
配置: Single
增益: 21 dB
最大漏极/栅极电压: 28 V
最大工作频率: 2.5 GHz
最小工作频率: 300 MHz
输出功率: 20 W
封装: Tray
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 20
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

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