CGH09120F

MACOM
941-CGH09120F
CGH09120F

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt

数据表:
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¥5,562.3346 ¥5,562.33
¥4,952.2815 ¥49,522.82

产品属性 属性值 选择属性
MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
Screw Mount
N-Channel
120 V
28 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
56 W
商标: MACOM
配置: Single
增益: 21 dB
最大漏极/栅极电压: 28 V
最大工作频率: 2.5 GHz
最小工作频率: 300 MHz
输出功率: 20 W
封装: Tray
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 40
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CGH09120F GaN高电子迁移率晶体管

Wolfspeed/Cree CGH09120F GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT) 旨在实现高效率、高增益和高带宽能力。该款GaN HEMT支持大量应用DPD校正，因此非常适合用于MC-GSM、WCDMA和LTE放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
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