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Microchip Technology 1N6111AUS/TR瞬态电压抑制器

Microchip Technology 1N6111AUS/TR瞬态电压抑制器 (TVS) 采用无气隙气密密封双向设计，符合MIL-PRF-19500/516军用标准。1N6111AUS/TR的正常峰值关态电压可从5.7V至152V间选择，在10µs至1000µs的脉冲范围额定值为500W。1N6111AUS/TR非常适合用于敏感电路和高可靠性应用。

Microchip Technology 1N6111AUS/TR瞬态电压抑制器采用3.76mmx5.72mm SQ-MELF（方形金属电极无引线面）封装，结温范围为-55°C至+175°C。

特性

  • 高浪涌电流和峰值脉冲功率为敏感电路提供瞬态电压保护
  • ESD和EFT保护，分别符合IEC6100-4-2和IEC61000-4-4标准
  • 防雷电二次效应，符合IEC61000-4-5中可选级别
  • 对ESD不敏感，符合MIL-STD-750方法1020
  • 内部1类冶金接头
  • 方形端盖端子，便于放置
  • 三层钝化
  • 无气隙气密密封玻璃封装

应用

  • 军事和其他高可靠性应用

规范

  • 结到端盖8.3°c/w热阻
  • 峰值脉冲功率：500W（在10µs至1000µs脉冲范围）
  • 稳态功率：3W（一直到TEC=150°C）
  • 稳态功率：2W（在TA=25°C时）
  • 脉冲重复率： 0.01%
  • 最小击穿电压：15.2V
  • 12.2V关态电压
  • 最小待机电流：20µA
  • 最大钳位电压：22.3V
  • 结温和储存温度范围：-55°C至+175°C
  • 3.76mmx5.72mm SQ-MELF封装

封装外形

机械图纸 - Microchip Technology 1N6111AUS/TR瞬态电压抑制器
发布日期: 2021-11-18 | 更新日期: 2022-03-11