Microchip Technology 25CS640 64Kb SPI串行EEPROM

Microchip Technology 25CS640 64Kb SPI串行EEPROM利用串行外设接口（SPI）兼容总线提供64Kb串行EEPROM。该器件的结构为8192字节，每个8位（8Kb）。 Microchip Technology 25CS640 EEPROM优化用于需要可靠、稳健的非易失性存储器的消费及工业应用。 25CS640可在宽电压范围（1.7V至5.5V）内工作。 25CS640设有独立于64Kb主内存阵列的非易失性安全寄存器。安全寄存器的前半部为只读，在前16字节中包含一个工厂编程、全局唯一的128位序列号。128位只读序列号后面有一个32字节的用户可编程EEPROM。

25CS640具有可配置写入保护方案，允许用户选择传统写入保护模式或增强型写入保护模式。为防止掉电事件，当V_CC 电源电压降至设定的电压电平以下时，欠压锁定检测电路会禁止所有写入序列。电压电平可通过欠压闭锁检测（UVLO）寄存器进行配置。25CS640采用内置纠错码（ECC）方案来提高可靠性。

Microchip 25CS640具有一个识别寄存器，其中包含可从器件读取的识别信息。这样，应用程序即可在系统中对25CS640进行电子查询和识别。可从器件读取的
信息类型包括JEDEC®定义的制造商ID、供应商特定设备ID和供应商特定扩展设备信息（EDI）。

特性

64Kb串行EEPROM
- 8192个8位结构
- 页面大小：32字节
- 字节或顺序读取
- 字节或页面写入
- 自定时写入周期：4 ms（最大值）
安全寄存器
- 可编程128位序列号
- 32字节用户可编程、可锁定ID页面
内置纠错码（ECC）逻辑、通过状态寄存器实现的ECC状态位
欠压闭锁检测
支持JEDEC® SPI制造商读取ID
高速时钟频率
- 20MHz（V_CC ≥4.5V时）
- 10MHz（V_CC ≥2.5V时）
- 5MHz（V_CC ≥1.7V时）
传统写入保护模式、块保护功能（四分之一、二分之一或完整存储器阵列）

增强型写入保护模式
- 用户可定义的内存分区
- 每个分区均可独立设置，并具有独特的保护行为
低功耗CMOS技术
- 1.7 V 至 5.5 V 电压范围
- 写入电流：5.0mA（5.5V、20MHz时）
- 读取电流：3.0mA（4.5V、10MHz时）
- 待机电流：1.0µA（5.5V、I-Temp.时）
高可靠性
- 超过100万次擦除/写入循环
- 内置ECC逻辑，用于提高可靠性
- 数据保留超过200年
- >4000 V ESD保护
8引线MSOP、8引线SOIC、8引线TSSOP和8焊盘UDFN封装选项
温度范围
- 工业 (I) ：-40 °C至+85 °C
- 扩展温度 (E)：-40 °C至+125 °C
- 扩展温度（H）：-40°C至+150°C