Microchip Technology 32位SAM G微控制器

Microchip Technology 32位SAM G微控制器优化用于超低功耗和高性能应用。SAM G MCU的小尺寸基于Arm® Cortex®-M4F内核,与浮点单元 (FPU) 捆绑,采用微型3mm x 3mm、49焊球WLCSP封装,效率无与伦比。SAM G  MCU具有一套高效串行外设,包括12位模数转换器 (ADC)、直接内存访问 (DMA) 和良好的SRAM对闪存比。SAM G器件非常适合用于传感器集线器和电池供电消费类应用。

Microchip Technology SAM G MCU有四种型号可供选择,即SAM G51、SAM G53、SAM G54和SAM G55 这些器件完全兼容,甚至低至WLCSP封装。

SAM G51 MCU具有256KB闪存和64KB SRAM。该器件具有一个USART、两个UART、两个I2C、多达两个SPI、一个8通道12位37kSPS ADC和18个外设DMA控制器 (PDC) 通道。有源模式下的功耗为103µA/MHz,等待模式下为6.8µA。从等待模式到主动模式的唤醒时间为3.2µs。

SAM G53 MCU基于SAMG 51,具有512KB闪存和96KB SRAM。这些器件还添加了第二个16位定时器、两个I2S通道和28个 PDC通道。有源模式下的功耗为102µA/MHz,等待模式下为8µA。从等待模式到主动模式的唤醒时间不足5µs。

SAM G54 MCU通过增加速度构建SAM G53,运行频率高达96MHz。这些器件具有相同的低功耗。

SAM G55 MCU通过增加速度构建SAM G54,运行频率高达120Mhz。这些器件还包括176KB SRAM和全速USB。

特性

  • SAM G55 MCU
    • 基于Arm Cortex-M4的MCU,在I/D总线上具有高达16KB的SRAM,提供高达120MHz的0等待状态执行
    • 高达512KB嵌入式闪存和176KB SRAM
    • 带嵌入式引导加载程序的8KB ROM,全速单周期访问
    • 有源模式下的功耗为102µA/MHz
    • 低功耗模式
      • 等待模式:8µA 
      • 从等待模式到有源模式的唤醒时间:<5µs 
    • FPU
    • DSP指令
    • 12位8通道ADC
    • 49焊球WLCSP、64引脚LQFP和 64引脚QFN封装选项

  • SAM G53 MCU
    • 基于Arm Cortex-M4的MCU,运行频率高达48MHz
    • 512KB嵌入式闪存和96KB SRAM
    • 有源模式下的功耗为102µA/MHz
    • 低功耗模式
      • 等待模式:8µA 
      • 从等待模式到有源模式的唤醒时间:<5µs 
    • FPU
    • DSP指令
    • 12位8通道ADC
    • 49焊球WLCSP、100引脚LQFP封装选项
  • SAM G54 MCU
    • 基于Arm Cortex-M4的MCU,运行频率高达96MHz
    • 512KB嵌入式闪存和96KB SRAM
    • 有源模式下的功耗为102µA/MHz 
    • 低功耗模式
      • 等待模式:8µA 
      • 从等待模式到有源模式的唤醒时间:<5µs 
    • FPU
    • DSP指令
    • 12位8通道ADC
    • 49焊球WLCSP、100引脚LQFP封装选项

  • SAM G51 MCU
    • 基于Arm Cortex-M4的MCU,运行频率高达48MHz
    • 高达256KB嵌入式闪存和64KB SRAM
    • 有源模式下的功耗为103µA/MHz
    • 低功耗模式
      • 等待模式:6.8µA 
      • 从等待模式到主动模式的唤醒时间为3.2µs 
    • FPU
    • DSP指令
    • 12位8通道模数转换器 (ADC)
    • 49焊球WLCSP、100引脚LQFP封装选项

应用

  • 物联网
    • 边缘节点
    • 传感器聚合器
    • 数据集中器
  • 可穿戴设备
    • 便携式医疗保健设备
    • 健身监测器
    • 智能手表
发布日期: 2022-02-16 | 更新日期: 2022-03-11