Microchip Technology M1A3P600 ProASIC3闪存FPGA

Microsemi M1A3P600 ProASIC3闪存FPGA具有出色的性能、密度和特性，显著优于ProASIC^PLUS®系列。这些FPGA采用非易失性闪存技术，可即刻实现安全、低功耗的单芯片解决方案。M1A3P600 ProASIC3闪存FPGA可让设计人员使用现有的ASIC或FPGA设计流程和工具创建高密度系统。这些器件具有1kb的片上、可重编程、非易失性FlashROM存储器，以及基于集成锁相环 (PLL) 的时钟调理电路。M1A3P600 ProASIC3器件支持ARM-Cortex-M1软处理器IP内核，具有可编程性并可缩短上市时间。这些闪存FPGA非常适合用于消费类、工业、通信、医疗和汽车应用。

特性

大容量：
- 15K至1M系统门
- 高达144Kb的真正双端口SRAM
- 多达300个用户I/O
可重编程闪存技术：
- 130nm、7层金属（6铜）、基于闪存的CMOS工艺
- 即时0级支持
- 单芯片解决方案
- 断电时保留编程设计
高性能：
- 350MHz系统性能
- 3.3V、66MHz 64位PCI
系统内编程 (ISP) 和安全性：
- 通过JTAG（符合IEEE 1532标准）并使用片上128位高级加密标准 (AES)（支持ARM^®的ProASIC^®3器件除外）的ISP
- FlashLock^®可确保FPGA内容
低功耗：
- 内核电压可实现低功耗
- 支持仅1.5V系统
- 低阻抗闪存开关
高性能路由层次结构：
- 分段、分层路由和时钟结构
嵌入式内存：
- 1Kb的FlashROM用户非易失性存储器
- 具有可变长宽比4608位RAM的SRAM和FIFO 块（×1、×2、×4、×9和×18组织）
- 真正的双端口SRAM（×18除外）

高级I/O：
- 700Mbps DDR、支持LVDS的I/O（A3P250及更新型号）
- 1.5V、1.8V、2.5V和3.3V混合电压操作
- 按JESD8-B要求支持宽范围电源电压，支持I/O在2.7V至3.6V存储区可选I/O电压范围内工作，
- 每个芯片最多4个存储区
- 单端I/O标准：
  - LVTTL、LVCMOS 3.3V/2.5V/1.8V/1.5V、3.3V PCI/3.3V PCI-X和LVCMOS 2.5V/5V输入
- 差分I/O标准：
  - LVPECL、LVDS、B-LVDS和M-LVDS（A3P250及更新型号）
- 输入、输出和使能路径上的I/O寄存器
- 可热插拔和冷备用I/O
- 可编程输出转换率和驱动强度
- 弱上拉/下拉
- IEEE 1149.1 (JTAG) 边界扫描测试
- 跨ProASIC3系列的引脚兼容封装
时钟调理电路 (CCC) 和PLL：
- 六个CCC模块，其中一个带集成PLL
- 可配置相移、乘/除、延迟功能和外部反馈
- 宽输入频率范围：1.5MHz至350MHz
ProASIC3 FPGA中的ARM处理器支持：
- M1 ProASIC3器件 - ARM^® Cortex^®-M1软处理器，带或不带调试功能