Microchip Technology MCP6N16 零漂移仪表放大器

Microchip MCP6N16 零漂移仪表放大器采用了一种自我校正的架构,这种架构在提供超低失调、低失调漂移、以及出色的共模和电源抑制的同时,还避免了 1/f 噪声的负面影响,从而最大化提高了直流性能。这种设计确保了时间和温度的精确性。MCP6N16 的两个外部电阻器设置增益,在温度变化范围内尽量降低增益误差。基准电压 (VREF)使输出电压(VOUT)。各器件在输入引脚处均包含 EMI 滤波器,提供出色的 EMI 抑制(EMIRR)。低功耗的 CMOS 工艺技术实现了在 500kHz 带宽上的低功耗。 一个由硬件驱动的引脚实现了功耗的进一步降低。MCP6N16 有低功耗工作和关断功能,在给定速度和性能时需要的电流更少,从而延长了电池使用时间,减少了自发热现象。此外,MCP6N16 的 1.8V 低压工作使两节 1.5V 干电池能比常规使用实现更充分地耗尽。该器件的轨到轨输入和输出使其即使在低电源条件下也可满功率使用。这在整个工作电压范围上实现了更好的性能。MCP6N16 零漂移运算放大器非常适合需要高性能和精确性、低功耗和低压工作的应用,如传感器接口、信号调理、固定和 & 便携式仪器仪表等。 三种最低增益选择 (G最小值) (1、10 和 100V/V),使设计人员能优化输入失调电压和输入噪声,以适应不同应用的要求。

The MCP6N16 Zero-Drift Instrumentation Amplifier is well-suited for applications requiring a combination of high performance and precision, low power consumption, and low-voltage operation such as sensor interfaces, signal conditioning, and stationary & portable instrumentation. Available in three minimum gain options (GMIN) (1, 10, and 100V/V) MCP6N16 allows designers to optimize the input offset voltage and input noise for different applications.

特性

  • High DC Precision:
    • VOS: ±17μV (maximum, GMIN = 100)
    • TC1: ±60nV/°C (maximum, GMIN = 100)
    • CMRR: 112dB (minimum, GMIN = 100, VDD = 5.5V)
    • PSRR: 110dB (minimum, GMIN = 100, VDD = 5.5V)
    • gE: ±0.15% (maximum, GMIN = 10, 100)
  • Flexible:
    • Minimum Gain (GMIN) Options: 1, 10 and 100V/V
    • Rail-to-Rail Input and Output
    • Gain Set by Two External Resistors
  • Bandwidth: 500kHz (typical, Gain = GMIN = 1, 10)
  • Power Supply:
    • VDD: 1.8V to 5.5V
    • IQ: 1.1mA (typical)
    • Power Savings (Enable) Pin: EN
  • Enhanced EMI Protection:
    • Electromagnetic Interference Rejection Ratio (EMIRR): 111dB at 2.4GHz
  • Extended Temperature Range: -40°C to +125°C

应用

  • High-Side Current Sensor
  • Wheatstone Bridge Sensors
  • Difference Amplifier with Level Shifting
  • Power Control Loops

Typical Application Circuit

Microchip Technology MCP6N16 零漂移仪表放大器
发布日期: 2014-08-28 | 更新日期: 2022-03-11