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Microchip Technology MSC017SMA120x碳化硅N沟道功率MOSFET

Microchip Technology MSC017SMA120x碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。Microchip MSC017SMA120x SiC MOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。

MSC017SMA120J器件是一款1200V、17mΩ SiC MOSFET，采用SOT-227封装。MSC017SMA120B4器件是一款1200V、17mΩ SiC MOSFET，采用TO-247封装（带源极检测）。MSC017SMA120S器件是一款1200V、17mΩ SiC MOSFET，采用TO-268 (D3PAK)封装。

特性

  • 低电容和栅极电荷
  • 得益于低内部栅极电阻 (ESR) 的快速开关速度
  • 在高结温（Tj(max)=175°C）下稳定工作
  • 快速、可靠的体二极管
  • 高雪崩耐受性
  • 符合RoHS指令

应用

  • 光伏逆变器、转换器和工业电机驱动器
  • 智能电网输配电
  • 感应加热和焊接
  • H/EV动力传动系统和EV充电器
  • 供配电

其他资源

封装类型

Microchip Technology MSC017SMA120x碳化硅N沟道功率MOSFET
发布日期: 2021-05-11 | 更新日期: 2022-03-11