特性
- 内核
- C编译器优化RISC架构
- 直流至32MHz时钟输入操作速度,最短指令时间为125ns
- 16级深度硬件堆栈
- 小电流上电复位 (POR)
- 可配置上电延时定时器 (PWRT)
- 欠压复位 (BOR)
- 低功耗掉电重置 (LPBOR)
- 窗口看门狗定时器 (WWDT)
- 存储器
- 高达28 KB程序闪存
- 高达2KB数据SRAM存储器
- 高达256字节数据EEPROM存储器
- 内存访问分区 (MAP),程序闪存分为应用程序块、引导块和存储区域闪存 (SAF) 块
- 可编程代码和写保护
- 器件信息区 (DIA) 存储温度指示器校准系数、固定参考电压 (FVR) 测量数据和Microchip唯一标识符 (MUI)
- 器件特征区 (DCI) 存储编程/擦除行大小和引脚计数详细信息
- 直接、间接和相对寻址模式
- 节能功能
- 打盹
- 空闲
- 睡眠
- 外设模块禁用 (PMD)
- 低功耗模式
- 编程/调试
- In-Circuit Serial Programming™ (ICSP™)(通过2个引脚)
- 电路内调试 (ICD)(通过2个引脚提供3个断点)
- 片上集成调试
- 数字外设
- 2个捕获/比较/PWM (CCP) 模块
- 多达4个脉宽调制器 (PWM)
- 4个可配置逻辑单元 (CLC)
- 1个互补波形发生器 (CWG)
- 1个可配置8/16位定时器 (TMR0)
- 2个16位定时器 (TMR1/3),带栅极控制
- 多达3个8位定时器 (TMR2/4/6),带硬件限制定时器 (HLT)
- 1个数控振荡器 (NCO)
- 带存储器扫描功能的可编程CRC
- 2个增强型通用同步异步接收器发射器 (EUSART)
- 2个主机同步串行端口 (MSSP)
- 外设引脚选择 (PPS)
- 设备I/O端口
- 模拟外设
- 具有计算功能的差分模数转换器 (ADCC)
- 2个8位数模转换器 (DAC)
- 2个比较器 (CMP)
- 零交叉检测 (ZCD)
- 2个固定电压基准 (FVR)
- 时钟结构
- 编程/调试
- 时钟结构
- 高精度内部振荡器块 (HFINTOSC)
- 内部31kHz振荡器 (LFINTOSC)
- 外部32kHz二次振荡器 (SOSC)
- 外部高频时钟输入
- 故障安全时钟监控器
- 振荡器起动定时器 (OST)
规范
- 工作电源电压范围:1.8V至5.5V
- 最低1.7V RAM数据保留
- 上电重置释放电压:1.6V(典型值)
- 通电重置重新启动电压:1V(典型值)
- 最小上升速率:0.05V/ms
- 特征保持:40年(典型值)
- 字节擦除/写入周期时间:11ms(最大值)
- 增益带宽:2.3Mhz(最大值)
- 2个16位双PWM
- 工作温度范围
- -40°C至+85°C(工业环境温度)
- -40°C至+125°C(扩展环境温度)
框图
内核数据路径
视频
发布日期: 2023-05-08
| 更新日期: 2024-11-05

