Microchip Technology SST25WF040B/80B SPI串行闪存
Microchip Technology SST25WF040B/80B SPI串行闪存芯片设计采用四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装。这些串行闪存占用的电路板空间极小，可降低系统总成本。SST25WF040B/80B串行闪存芯片采用高性能CMOS SuperFlash技术制造而成。这些串行闪存采用分离栅极设计和厚氧化层隧穿注入器，可实现更高的可靠性。
SST25WF040B/80B串行闪存在1.65V至1.95V的单电源电压范围内写入（编程或擦除）。这些串行闪存利用SuperFlash技术（可实现低耗电流）进行编程并缩短擦除时间。这样即可减少在任何擦除或编程操作期间的总能量消耗。SST25WF040B/80B串行闪存采用8引脚SOIC和8触点USOIN封装。
特性
- 串行接口架构：
- SPI兼容：
- 模式0和模式3
- SPI兼容：
- 双输入/输出支持：
- 快速读取双输出指令 (3BH)
- 快速读取双I/O指令 (BBH)
- 写入结束检测：
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
- 保持引脚 (HOLD#)：
- 暂停串行序列而不取消选择设备
- 写保护 (WP#)：
- 启用/禁用状态寄存器的锁定功能
- 软件写保护：
- 通过状态寄存器中的块保护位进行写保护
- 采用以下封装：
- 8引脚SOIC (150 mils)
- 8引脚USON (2mm x 3mm）
- 符合RoHS指令
规范
- 1.65V至1.95V单电压读写操作
- 高速时钟频率为40MHz
- 出众的可靠性：
- 100000个周期
- 数据保留超过20年
- 超低功耗：
- 4mA读操作工作电流
- 待机电流：7µA
- 2μA掉电模式待机电流
- 灵活的擦除功能：
- 统一的4KB扇区
- 统一的64KB重叠块
- 页面程序模式：
- 256字节/页面
- 快速擦除和页面编程：
- 400ms芯片擦除时间
- 40ms扇区擦除时间
- 80ms块擦除时间
- 0.8ms/256B页面编程时间
- 工业温度范围：-40°C至85°C
- 扩展温度范围：-40°C至125°C
功能框图
发布日期: 2019-01-23
| 更新日期: 2023-05-11