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Microsemi APT40SM120碳化硅功率MOSFET Microsemi APT40SM120碳化硅功率MOSFET与硅MOSFET/IGBT解决方案相比,为高电压应用提供了更高的性能。APT40SM120 MOSFET实现了更轻、更紧凑的系统,因此效率极高。这些MOSFET易于驱动和并联。该器件无需外部续流二极管,同时具有更佳的散热性能和更低的开关损耗。特性包括出色的雪崩耐受性,以及得益于低内部栅极电阻 (ESR) 的快速开关速度。另外,APT40SM120还可在高达+175°C的结温下稳定工作。该MOSFET具有32A (APT40SM120J) 或36A (APT40SM120S) 的漏极电流、1200V的击穿电压以及最大100Ω的导通电阻。应用包括H/EV动力传动系统和EV充电器、感应加热焊接、智能电网输配电、供配电系统、PV逆变器、转换器和工业电机驱动器。 |
特性 - 快速、可靠的体二极管
- 得益于低内部栅极电阻 (ESR) 的快速开关速度
- 低电容和栅极电荷
- 在高结温 (Tj(max) = +175°C) 下稳定工作
- 高雪崩耐受性
优势 - 无需外部续流二极管
- 实现了更轻、更紧凑的系统,效率极高
- 更佳的散热性能和更低的开关损耗
- 较低的系统拥有成本
- 易于驱动和并联
规格 - 连续漏电流:32A (APT40SM120J) 或36A (APT40SM120S)
- 漏极-源极击穿电压:1200V
- 漏极-源极电阻:80mΩ
- 栅极-源极电压:-10V至+25V
- 最大导通电阻:100Ω
- 工作温度范围:-55°C - +175°C
应用 - H/EV动力传动系统和EV充电器
- 感应加热焊接
- 供配电系统
- PV逆变器、转换器和工业电机驱动器
- 智能电网输配电
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发布日期: 2017-08-17
| 更新日期: 2017-08-17