Micron 176层NAND通用闪存存储 (UFS) 3.1

Micron 176层NAND通用闪存存储器(UFS)3.1是一套基于3D替代栅极技术的超快闪存解决方案,优化用于高端和旗舰手机。与前代96层产品相比,176层UFS 3.1可实现高达75%的顺序写入和随机读取性能提升,从而解锁5G潜力——只需9.6秒即可下载一部长达2小时的4K电影。Micron 176层UFS 3.1采用紧凑型设计,非常适合用于移动设备所需的大容量、小尺寸。Micron 176层NAND UFS 3.1有128GB、256GB、512GB、1TB和2TB容量可供选择。 

特性

  • 性能提升——与前代96层产品相比,顺序写入提升75%,随机读取提升70%
  • 与前代96层产品相比,总字节写入能力提高了2倍;在不降低器件可靠性的前提下,总数据存储扩大至2倍
  • 下载速度更快——能够在0.7秒内下载一个时长为10分钟的4K(2160像素)YouTube视频流或在9.6秒内下载一部时长为2小时的4K电影
  • 移动体验更流畅—与前代96层产品相比,延迟降低10%,响应时间更快,移动体验更可靠

应用

  • 移动设备
  • 汽车
  • 客户群
  • 消费电子产品
  • 数据中心
  • 闪存,用于数据湖、人工智能和大数据分析等工作负载

视频

发布日期: 2021-09-01 | 更新日期: 2023-02-16