Micron 256GB异步/同步NAND闪存
Micron 256GB异步/同步NAND闪存器件使用高度复用的8位总线（DQx）来传输命令、地址和数据。该存储器器件采用单电平单元（SLC）架构，具有卓越的耐用性和数据完整性。这些器件配有五个用于实现异步数据接口的控制信号：CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。其他信号控制硬件写保护（WP#）和监控设备状态（R/B#）。NAND闪存器件还包括用于高性能I/O操作的同步数据接口。这些NAND闪存在2.7V至3.6V电源电压和1.8V I/O电压下运行，使其成为低功耗设计的理想选择。 256GB NAND闪存采用100引脚LBGA封装（12mmx18mm）。这些存储器器件支持-40°C至85°C的扩展温度范围，具有工业级可靠性。256GB异步/同步器件非常适合汽车系统、工业控制器、网络设备和高可靠性嵌入式存储器解决方案。
特性
- 开放式NAND闪存接口（ONFI）2.2合规1
- 单电平单元（SLC）技术
- 组织：
- 页面大小：x8:8640字节（8192 + 448字节）
- 块大小：128页（1024K + 56K字节）
- 平面大小：2个平面，每个平面2048个块
- 器件大小：256GB，32.768个块
- 同步I/O性能：
- 高达同步定时模式5
- 时钟速率为10ns（DDR）
- 每引脚200 MT/s读写吞吐量
- 异步I/O性能：
- 高达异步定时模式5
- tRC/tWC为20ns（最小值）
- 每引脚50 MT/s读写吞吐量
- 阵列性能：
- 读取页面为35µs（最大值）
- 编程页面为350µs（典型值）
- 擦除块为1.5ms（典型值）
- 工作电压范围为2.7V至3.6V VCC
- ONFI NAND闪存协议命令集
- 高级命令集：
- 编程缓存
- 顺序读取缓存
- 随机读取缓存
- 一次性可编程（OTP）模式
- 多平面命令
- 多LUN操作
- 读取唯一ID
- 回拷操作
- 第一块（块地址00h）从出厂时有效
- 开机后需要将“重置”（FFh）作为第一条命令
- 操作状态字节提供了一种软件方法，用于检测
- 操作完成情况
- 通过/失败条件
- 写保护状态
- 数据有效信号（DQS）提供了一种硬件方法，用于在同步接口中同步数据DQ
- 支持从数据读取平面进行回拷操作
- 质量和可靠性
- 符合JESD47G标准的数据保留
- 编程/擦除循环耐用性为80,000次
- 符合 PEM-INST-001
- 辐射特性信息为MILSTD-750 TM1019 D条件和MILPRF-19500/357
- 工业工作温度为-40°C至85°C
- 100引脚BGA封装
应用
- 汽车系统
- 工业控制器
- 网络设备
- 高可靠性嵌入式存储器解决方案
发布日期: 2025-10-15
| 更新日期: 2025-10-31