Micron DDR4 SDRAM内存
Micron DDR4（双数据速率4）SDRAM是一款高速动态随机存取存储器，内部配置为8组DRAM（用于x16配置）和16组DRAM（用于x4和x8配置）。 借助这些高密度器件，系统设计人员能够利用具有相同数量的部署获得更多可用内存，有助于增加系统的带宽或支持的功能集。DDR4内存还可以让设计人员以更少部署保持相同的密度，有助于降低成本。
Micron DDR4 SDRAM内存经过严格测试，可满足工业和汽车应用的极端温度和性能需求。
特性
- 优化了成本/性能/容量，数据速率高达3200Mb/s
- 带宽比DDR3增加了50%
- 1.2V低电压消耗（内核和I/O）降低了内存功率需求
- 与DDR3相比，节能特性可将整体功耗要求降低35%
- 连接测试模式可在系统测试期间实现早期故障检测，从而缩短调试时间，节省开发和生产成本
- 中心接合焊盘，可实现最高性能和最低成本
- 提高数据信号完整性和系统可靠性；ODT、DBI、命令/地址奇偶校验和CRC
- 支持高达16Gb单芯片密度
- 支持多级封装
- 容量更大的内存子系统，具有高达4芯片堆叠
- 采用FBGA-78和FBGA-98封装
- 工作温度选项
- 0°C至+95°C
- -40°C至+95°C
- -40°C至+105°C
- -40°C至+125°C
应用
- 云服务器和数据中心
- 汽车
- 互动健康辅导和个性化健康监控
- 工业物联网和工业4.0
- 游戏PC
- 边缘和视频监控服务器
DDR4与DDR3比较
类似Micron DDR4存储器
Micron LPDDR4内存
在性能、功耗、延迟和物理空间之间实现了完美平衡，因此非常节能。
发布日期: 2021-11-12
| 更新日期: 2026-02-02