Micron i400工业级MicroSD卡具有大容量存储专用闪存和板载智能控制器。该控制器管理接口协议、内容保护用安全算法、数据存储、检索、纠错码 (ECC) 算法、缺陷处理、突然断电保护和损耗均衡。
i400 microSD卡包括一个或多个NAND闪存元件和一个microSD卡控制器。此外,卡的密度取决于封装内的裸片数量和每个裸片的厚度。
特性
- Micron® 176层3D NAND闪存
- 8焊盘microSD存储卡 (11mm × 15mm) 外形尺寸
- 密度范围:64GB至1.5TB
- 符合SD物理层规范6.10版
- microSD卡规格版本4.203
- SD 存储卡文件系统规范
- 卡的密码保护
- 支持安全数字接口 (SD) 和串行外设接口 (SPI)
- 平均故障时间 (MTTF):200万小时
- 耐久性(写入的总字节数)
- 64GB至140TB
- 128GB,高达175TB
- 256GB,高达300TB
- 512GB,高达600TB
- 1TB,高达1200TB
- 1.5TB至1800TB
- 监视录音能力
- 不间断录像,持续5年
- 健康监控
- 总线速率模式(理论传输速率@x4位)
- 默认:3.3V信号传输高达12.5MB/s(25MHz时)
- 高速:3.3V信号传输高达25MB/s(50MHz时)
- SDR12:UHS-I 1.8V信号传输高达12.5MB/s(25MHz时)
- SDR25:UHS-I 1.8V信号传输高达25MB/s(50MHz时)
- SDR50:UHS-I 1.8V信号传输高达50MB/s(100MHz时)
- SDR104:UHS-I 1.8V信号传输高达104MB/s(208MHz时)
- DDR50:UHS-I 1.8V信号传输高达50MB/s(50MHz时)(在两个时钟边缘采样)
- 1.8V低电压信令 (LVS) 接口支持
- LV50:支持UHS50的LV卡
- LV104:支持UHS104的LV卡
- 集成上电复位、振荡器、电压调节和电压检测电路
- 内置特性,用于缺陷和错误管理
- 实施LDPC纠错码
- 全局磨损均衡
- 坏块管理
- 刷新机制,用于UECC预防
- 突然断电(SPO)保护
- 工作电压范围:2.7至3.6V
- 温度
- 工作温度范围:–25°C至+85°C
- 储存温度范围:–40°C至+85°C
- 符合标准
- RoHS
- FCC
- CE
- BSMI
- KC RRA
- W.E.E.E.
- VCCI
- IC
- 不含卤素
框图
尺寸 (mm)
发布日期: 2022-06-29
| 更新日期: 2023-07-10

