Micron LPDDR4内存

Micron LPDDR4内存优化用于解决电池供电应用中的功耗问题。与DDR4相比,这些内存器件的峰值带宽快33%。与标准DRAM相比,LPDDR4内存在待机模式下的功耗降低至1/5。这些内存器件采用多芯片封装 (MCP) 和封装体叠层 (PoP) 设计,可节省PCB空间。LPDDR4内存器件优化了x16、x32和x64配置,可为某些应用节省BOM。LPDDR4内存在性能、功耗、延迟和物理空间之间实现了完美平衡,因此非常节能。这些LPDDR4内存器件适合用于手持设备、电池供电应用和超便携设备。

特性

  • 优化用于解决电池供电应用中的功耗问题
  • 与标准DRAM相比,在待机模式下的功耗降低至1/5
  • 多芯片封装 (MCP) 和封装体叠层 (PoP) 设计,可节省PCB空间
  • 与DDR4相比,峰值带宽快33%

应用

  • 汽车:
    • ISO 9001/IATF 16949质量管理系统
    • 符合AEC-Q100标准
    • 零缺陷方法
  • 工业:
    • POS/零售、智能/监控摄像头和可穿戴设备,高达128GB LP2/LP3/LP4/LP5
    • M2M模块
    • 3G/4G无线网络,具有高达4Gb LP1/LP2 MCP
    • 5G无线网络,具有高达8GB LP4 MCP
  • 消费电子:
    • Micron提供差异化解决方案,实现成本优化和创新
    • Micron内存采用先进的技术,经过严格测试,适合用于各种应用
    • LPDRAM产品组合采用各种POP封装,适合用于小尺寸应用
发布日期: 2021-03-02 | 更新日期: 2025-11-27