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Micron RLDRAM存储器

Micron RLDRAM存储器是高性能、高密度解决方案，适用于类似SRAM的快速随机存取。这些器件具有持续的高带宽，速度超过了先进的DDR3。RLDRAM采用创新的电路设计来最大限度缩短访问周期开始时与第一个数据可用那一刻之间的时间。因此，该RLDRAM非常适合用于10GbE、40GbE和100GbE数据包缓冲和检查。各种FPGA和网络处理器解决方案均支持该RLDRAM。

特性

  • High-performance, high-density solution for fast SRAM-like random access
  • Outpaces leading-edge DDR3 for sustained high bandwidth
  • Circuit designs minimize the time between the beginning of an access cycle and the instant that the first data is available

应用

  • 10GbE, 40GbE, and 100GbE packet buffering and inspections
  • FPGAs
  • Network processor solutions

按密度

Micron RLDRAM存储器

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发布日期: 2018-07-24 | 更新日期: 2023-03-03