Murata WLSC引线接合式薄型硅电容器
Murata WLSC引线接合式垂直薄型（厚100µm）硅电容器面向用于无线通信（例如5G）、雷达和数据广播系统的射频大功率应用。WLSC电容器适合用于直流去耦、匹配网络和谐波/噪声滤波功能。这些硅电容器设计采用半导体工艺，该工艺能够集成1.55nF/mm2至250nF/mm2的高电容密度（击穿电压分别为450V至11V）。
特性
- 超薄外形：厚100µm
- 低漏电流
- 高稳定性（温度和电压）
- 老化引起的电容损失可忽略不计
- 与标准的引线接合组件（球形和楔形）兼容
应用
- 任何要求苛刻的应用，如雷达、无线基础设施通信、数据广播
- 因焊盘平坦度而需采用标准的引线接合方法（顶部和底部镀金）
- 去耦、直流噪声和谐波滤波、匹配网络（例如：GaN功率放大器、LDMOS）
- 高可靠性应用
- 小尺寸薄型应用 (100µm)
- 完全兼容单层陶瓷电容器和金属氧化物半导体
规范
- 电容范围：47pF至22nF
- 电容容差：±15%
- 温度范围
- 工作温度范围：-55°C至+150°C
- 储存温度范围：-70°C至+165°C
- 温度系数：+60ppm/K
- 击穿电压：11V、30V、50V、100V、150V和450V
- 老化：<0.001%/1000小时
- 厚度：100µm
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发布日期: 2019-10-24
| 更新日期: 2025-07-02