Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET是一款40V车规级P沟道FET，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，并使用了 沟槽MOSFET技术。该MOSFET具有逻辑电平兼容性，带有可湿性侧翼，便于进行光学焊料检测。BUK6Q12-40PJ MOSFET在正常工作期间以负模式工作，漏极-源极电压（VDS）。当相对于源极 (VGS) 对栅极施加负电压时，电流就会流动。漏极和源极端子之间可以安全施加的最大电压为40V。此MOSFET采用热效率高的封装，具有小尺寸（占位面积为3.3mm x 3.3mm）。BUK6Q12-40PJ MOSFET已通过AEC-Q101认证。这款MOSFET非常适合用于反转极性保护、高速线路驱动器、高侧负载开关和继电器驱动器。
特性
- 兼容逻辑电平
- 沟槽式 MOSFET 技术
- 侧部可湿性侧翼，便于进行光学焊接检测
- 漏极-源极电压 (VDS)：-40V（25°C ≤ Tj ≤ 175°C时）
- 工作结温范围：-55 °C至175 °C
- 典型总功耗：94W（Tmb= 25°C时）
- 小尺寸高效散热封装（占位面积为3.3mm x 3.3mm）
- 符合 AEC-Q101
应用
- 反向极性保护
- 高速线路驱动器
- 高侧负载开关
- 继电器驱动器
尺寸
P沟道MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。
发布日期: 2025-07-24
| 更新日期: 2025-08-19