Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET
Nexperia BUK7Y1R0-40N & BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET的设计和测试符合AEC-Q101的要求，具有高性能和高耐用性。这些MOSFET提供快速高效的开关，具有最佳的阻尼和低的尖峰。BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET采用LFPAK56封装。BUK7Y1R0-40N N沟道MOSFET采用Trench 15低欧姆增强型沟槽底部氧化物 (e-TBO) 技术，而BUK7Y3R1-80M则采用Trench 14低欧姆分离栅技术。这些N沟道MOSFET符合EU RoHS指令，具有175°C的最高结温范围。典型应用包括电机、照明和电磁阀控制、12V汽车系统和超高性能电源开关。
规范
- 完全符合汽车级AEC-Q101标准（温度等级175°C，适合用于高温要求的环境）
- LFPAK鸥翼引线：
- 板级高可靠性，在热循环期间吸收机械应力
- 视觉 (AOI) 焊接检测
- LFPAK铜夹技术：
- 提高了可靠性，降低了Rth 、RDSon 和封装电感
- 提高了最大电流能力
- 改进了电流分布
- 符合EU RoHS指令
应用
- 12 V汽车系统
- 电机、照明和电磁阀控制
- 超高性能电源开关
包装外形
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| 物料编号 | 数据表 | 安装风格 | 封装 / 箱体 | 通道数量 | Vds-漏源极击穿电压 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Vgs - 栅极-源极电压 | Vgs th-栅源极阈值电压 | Qg-栅极电荷 | Pd-功率耗散 | 配置 | 晶体管类型 | 下降时间 | 上升时间 | 典型关闭延迟时间 | 典型接通延迟时间 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7Y1R0-40NX |  |
SMD/SMT | Power-SO8-4 | 1 Channel | 40 V | 320 A | 970 uOhms | - 20 V, 20 V | 3.6 V | 135 nC | 268 W | Single | Enhanced-Trench Bottom Oxide (e-TBO) MOSFET | 58 ns | 49 ns | 79 ns | 25 ns |
| BUK7Y3R1-80MX | |
SMD/SMT | Power-SO8-4 | 1 Channel | 80 V | 160 A | 3.1 mOhms | - 20 V, 20 V | 4 V | 70 nC | 254 W | Single | Trench 14 Low Ohmic Split-Gate MOSFET | 22 ns | 19 ns | 38 ns | 20 ns |
发布日期: 2024-02-14
| 更新日期: 2024-02-29