Nexperia NextPower 80/100V MOSFET
Nexperia NextPower 80/100V MOSFET建议用于高效率开关和高可靠性应用。NextPower MOSFET的RDS(on) 降低了50%，具有强大的雪崩能量等级。这些器件非常适用于电源、电信、工业设计、USB-PD Type-C充电器和适配器，以及48V直流-直流适配器。该器件具有低体二极管损耗，Qrr 低至50纳库仑（nC）。这样可实现较低的反向恢复电流（IRR）、较低的电压尖峰（Vpeak）和较低的振铃，从而进一步优化死区时间。
特性
- 低Qrr，实现更高效率和更低尖峰
- 低QG ×RDS(on) FOM，用于高效开关应用
- 强大的雪崩能量等级（Eas）
- 80V和100V产品组合
- 经雪崩测试，100%通过
- LFPAK56封装、LFPAK88封装，不含卤素且符合RoHS指令
- LFPAK56（SOT669）、LFPAK56E（SOT1023）和LFPAK88（SOT1235）波峰焊封装
应用
- AC/DC和DC/DC同步整流器
- 48V DC/DC一次侧开关
- BLDC电机控制
- USB-PD适配器和充电器
- 全桥和半桥应用
- 反激式和谐振拓扑
应用性能
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 | Vgs th-栅源极阈值电压 | Qg-栅极电荷 |
|---|---|---|---|---|
| PSMN1R8-80SSFJ |  |
MOSFET SOT1235 N-CH 80V 270A | 4 V | 148 nC |
| PSMN2R0-100SSFJ | |
MOSFET SOT1235 100V 267A N-CH MOSFET | 4 V | 161 nC |
| PSMN012-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 65A N-CH MOSFET | 4 V | 29 nC |
| PSMN4R5-80YSFX | |
MOSFET SOT669 N-CH 80V 100A | 4 V | 60 nC |
| PSMN5R5-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 115A | 4 V | 64 nC |
| PSMN7R2-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 111A N-CH MOSFET | 4 V | 50 nC |
| PSMN9R8-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 80A N-CH MOSFET | 4 V | 34 nC |
| PSMN3R5-80YSFX | |
MOSFET SOT1023 N-CH 80V 150A | 4 V | 75 nC |
| PSMN015-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 55A N-CH MOSFET | 4 V | 24 nC |
| PSMN3R9-100YSFX | |
MOSFET SOT1023 100V 120A N-CH | 4 V | 79 nC |
发布日期: 2020-08-28
| 更新日期: 2024-05-06