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Nexperia NID1100低正向压降理想二极管

Nexperia NID1100低正向压降理想二极管  专为需要高效电源管理的应用而设计。Nexperia NID1100工作在1.5V至5.5V的输入电压范围内，支持高达1A的连续电流。该二极管具有正向和反向电压阻断功能，使它成为低压系统中传统肖特基二极管的理想替代品。在3.6V输入和1A负载电流条件下，NID1100具有仅120mV的典型正向压降，大大降低了功率损耗。该二极管包含强大的保护机制，如短路电流限制和过温关断等。此外，NID1100还提供有紧凑型SOT753 (SC-74A) 封装，在整个-40°C至+125°C的宽温度范围内都能高效工作。

特性

  • 输入电压范围：1.5 V至5.5 V
  • 在3.6V输入和1A负载电流条件下，120mV典型值低正向压降电压 (VFWD)
  • 始终反向电压阻断，反向偏置时漏电流低
  • 禁用时正向电压阻断
  • 低静态电流
  • 增强的负载瞬态响应
  • 可控的启动上升时间
  • 超温保护
  • 短路保护
  • 支持OR-ing配置
    • 两个或更多NID1100设备
    • NID1100s和传统肖特基二极管
    • NID1100和外部PMOS
  • SOT753 (SC-74A) 5引脚塑料表面贴装封装
  • -40°C到+125°C结温范围 (TJ)

应用

  • 物联网 (IoT) 系统
  • 燃气仪表和智能仪表
  • 一氧化碳探测器
  • 电池备用系统
  • USB供电的设备

规范

  • 输出电压范围：0 V至5.5 V
  • 最大连续输出电流范围：50mA至1A
  • 最大脉冲开关电流：1.5A
  • EN引脚电压范围：0V至5.5V
  • 进入ST引脚的电流范围：0mA到0.5mA
  • 在OUT端的总电容范围（包括降额和容差）：0.3pF至100pF
  • 输入
    • 最大输入静态电流：725nA，典型值562nA
    • 最大输入关断电流：250nA，典型值108nA
  • 通过型FET的最大正向压降范围：70mV至180mV
  • 状态引脚
    • 低电平状态的最大阈值：0.3V
    • 状态引脚的漏电流：±75nA
  • 过电流限制的短路保护：2.8A（典型值）
  • 典型过热关机温度
    • 关机：+175°C
    • 迟滞：+35°C
  • 热阻：符合JEDEC51-5和-7标准
    • 结至环境温度：206°C/W
    • 结至顶的特性化参数：111°C/W
  • ESD额定值
    • ±2000V人体模型 (HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2级标准
    • ±500V充电设备模型 (CDM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 C2a级标准

简化应用方框图

应用电路图 - Nexperia NID1100低正向压降理想二极管

框图

框图 - Nexperia NID1100低正向压降理想二极管

开发工具

Nexperia NEVB-NID1100UL 评估板

方便NID1100理想二极管的测试和评估。

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发布日期: 2025-04-02 | 更新日期: 2025-04-08