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Nexperia PMDXBx 20V 沟槽式 MOSFET

恩智浦 PMDXBx 20V 沟槽式 MOSFET 是一款采用无铅超小型 SOT1216 表面贴装器件（SMD）塑料封装的增强模式场效应晶体管（FET)。这些器件采用沟槽式 MOSFET 技术，具备热传导性能出色的暴露型漏极垫，具有 >1kV HBM ESD 保护功能，并提供 470mΩ 漏极-源极导通电阻。PMDXBx MOSFET 提供 双 N 和 P 沟道版本。这些 MOSFET 特别适合继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关、开关电路等应用。

特性

  • Trench MOSFET technology
  • Exposed drain pad for excellent thermal conduction
  • ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1kV HBM
  • Low drain-source on-state resistance (RDS(on))
  • 1.1mm x 1.0mm x 0.37mm DFN1010B-6 (SOT1216) package

应用

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • Low-side load switch
  • Switching circuits

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Package Outline

机械图纸 - Nexperia PMDXBx 20V 沟槽式 MOSFET
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物料编号 数据表 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPELZ 数据表 20 V 500 mA 5 Ohms 950 mV 2.1 nC
PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ 数据表 20 V 600 mA 3 Ohms, 3 Ohms 450 mV 400 pC
PMDXB550UNEZ PMDXB550UNEZ 数据表 30 V 590 mA 670 mOhms 450 mV 1.05 nC
PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPEZ 数据表 30 V 410 mA 1.4 Ohms 950 mV 1.2 nC
PMDXB600UNELZ PMDXB600UNELZ 数据表 20 V 600 mA 470 mOhms, 470 mOhms 450 mV 700 pC
PMDXB950UPEZ PMDXB950UPEZ 数据表 20 V 500 mA 5 Ohms 450 mV 2.1 nC
发布日期: 2015-05-28 | 更新日期: 2022-03-11