特性
- 沟槽式MOSFET技术
- 低阈值电压
- 快速开关
- 无引线超小型SMD塑料封装
应用
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低侧负载开关
- 开关电路
规范
- 1.0mm x 0.6mm x 0.48mm dimensions
- 2kV HBM electrostatic discharge (ESD) protection
- 20V drain-source voltage
- 1.2A maximum drain current
- 270mΩ typical drain-source on-state resistance
Additional Resources
发布日期: 2016-09-30
| 更新日期: 2025-02-25

