Nexperia PSC20120x碳化硅 (SiC) 肖特基二极管

Nexperia PSC20120x碳化硅 (SiC) 肖特基二极管设计用于超高性能、低损耗、高效率的电源转换应用。该设备具有与温度无关的电容式关断特性、零恢复开关特性,以及优异的品质因数 (QC x VF)。

PSC20120L采用Real-2-Pin TO247 R2P (TO-247-2) 通孔功率塑封封装,而PSC20120J则采用Real-2-Pin D2PAK R2P (TO-263-2) 表面贴装器件 (SMD) 功率塑封封装。

Nexperia PSC20120x Merged PiN肖特基 (MPS) 二极管具备较高的IFSM,增强了器件的抗冲击能力。

特性

  • 零正向和反向恢复
  • 与温度无关的快速、平稳的开关性能
  • 优异的品质因数 (QC x VF)
  • 高IFSM能力
  • 大功率密度
  • 降低系统成本
  • 系统小型化
  • 降低电磁干扰 (EMI)
  • 封装
    • PSC20120L
      • 安装了TO-247-2散热器,1个安装孔;2引线;10.88mm间距;20.95mm x 15.94mm x 5.02mm主体尺寸
    • PSC20120J
      • D2PAK配置;5.08mm间距;8.8mm x 10.35mm x 4.46mm主体尺寸

应用

  • 开关模式电源 (SMPS)
  • AC-DC和DC-DC转换器
  • 电池充电基础设施
  • 服务器和电信电源
  • 不间断电源 (UPS)
  • 光伏逆变器

规范

  • 20A 正向电流
  • 1200V DC 阻断 电压
  • 总电容电荷:82nC

封装类型

应用电路图 - Nexperia PSC20120x碳化硅 (SiC) 肖特基二极管
发布日期: 2025-08-16 | 更新日期: 2026-04-10