Nexperia PSMN047-100NSE N沟道ASFET

Nexperia PSMN047-100NSE N沟道特定应用MOSFET(ASFET)可助力以太网供电(PoE)系统实现为每个受电设备(PD)提供高达90W的功率。这些解决方案对供电设备(PSE)在“软启动”、热管理和功率密度要求方面提出了更高的要求。100V、53mΩ PSMN047-100NSE ASFET在紧凑的2mmx2mm占位面积中结合了增强型SOA,使其非常适合包括POE、eFuse和继电器替换等各种应用。 

特性

  • 增强型安全工作区 (SOA),可实现出色的线性模式运行
  • 低RDSon,可实现低I2R导通损耗
  • 超低IDSS漏电流
  • 节省空间的塑料2mm x 2mm x 0.65mm DFN2020封装,比LFPAK33封装小60%
  • 符合RoHS指令

应用

  • 大功率PoE应用(60W及更高版本)
  • IEEE802.3at和专有PoE解决方案
  • 故障容限负载开关(浪涌管理和电子保险丝应用)
  • 电池管理应用
  • 继电器替代品
  • WIFI热点
  • 5G微微蜂窝
  • 闭路电视

规范

  • 漏极-源极电压:100V(最大值)
  • 漏极电流:18.4A(最大值)
  • 总功耗:42W(最大值)
  • 源极-漏极二极管恢复电荷:22.3nC(典型值)
  • 最大非重复漏极-源极雪崩能量:13.8mJ
  • 结温范围:-55 °C至+175 °C
发布日期: 2024-03-19 | 更新日期: 2024-04-04