NXP Semiconductors MRFE6VP6 50V RF LDMOS功率晶体管

Freescale Semiconductor MRFE6VP61K25H和MRFE6VP6300H 50V RF LDMOS功率晶体管设计用于高VSWR应用。MRFE6VP61K25H的输出功率电平为1250W，使其适用于坚固的应用。Freescale Semiconductor MRFE6VP61K25H RF LDMOS功率晶体管增强的牢固性使设计人员能够移去之前需要的外部电路，降低总体系统成本的同时又提高了性能。MRFE6VP61K25H设计用于支持高度失配应用中的严苛环境，比如等离子发生器、CO2 激光器和MRI功率放大器。Freescale MRFE6VP6300H 50V RF LDMOS功率晶体管专为运行频率为1.8-600MHz的应用而设计，针对在CO2激光器、等离子发生器和MRI 功率放大器阻抗失配时的使用进行了优化。MRFE6VP6300H是第一款以65:1 VSWR输出300 W连续波(CW)额定输出全功率的50V LDMOS晶体管。