NXP Semiconductors A5G26H110N评估板
NXP Semiconductors A5G26H110N评估板搭配A5G26H110N Airfast RF功率GaN晶体管使用。该板设计用于32T、320W无线电装置（平均10W /天线）。它的目标频带是n41，它采用与64T解决方案一样的封装，但提供2倍以上的功率。
特性
- 48V GaN分立式晶体管
- 8.7dB OBO时
- 平均41.8dBm (15W)
- 16dB增益
- 漏极效率：58% (Doherty)
- 2496 - 2690MHz
- 峰值：50.5dBm (110W)
- DFN 7 x 6.5包覆成型塑料封装
- 非对称 – 1.9:1比率，输入和输出预先匹配
典型系列
发布日期: 2022-04-26
| 更新日期: 2022-06-24