NXP Semiconductors A5G35H110N评估板
NXP Semiconductors A5G35H110N评估板与A5G35H110N Airfast RF功率GaN晶体管配套使用。该板设计用于32T、320W无线电单元（平均10W/ 每根天线）。其目标频带为B42，在与64T解决方案相同的封装中提供2倍以上的功率。
特性
- 48V GaN分立式晶体管
- 在7.6dB OBO时
- 41.8dBm AVG（15W）
- 15dB增益
- 漏极效率（Doherty）：54%
- 3300-3700MHz
- 峰值：49.4dBm（85W）
- DFN 7 x 6.5包超模压塑料封装
- 非对称 – 1.9:1比率，输入和输出预先匹配
典型系列
发布日期: 2022-04-26
| 更新日期: 2023-04-06