NXP Semiconductors A5G38H045N评估板
NXP Semiconductors A5G38H045N评估板与A5G38H045N射频MOSFET晶体管配合使用。该板设计用于64T、200W无线电单元（每个天线5W平均功率）。其目标频段为B77D，是用于美国C频段市场64T mMIMO的 GaN分立式解决方案。
特性
- 48V GaN分立式晶体管
- (9.5 dB OBO)
- 37.3dBm（平均值，5W）
- 增益：15dB
- 漏极效率 (Doherty) ：51%
- 3700-3980MHz
- 峰值：46.8dBm (48W)
- DFN 7 x 6.5包覆成型塑料封装
- 非对称– 2:1，输入和输出预匹配
典型系列
发布日期: 2022-04-26
| 更新日期: 2023-01-11